RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
72
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
72
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
1728
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link