RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
72
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
72
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
1728
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link