RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2426
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link