RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3327
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link