RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3327
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link