RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
26
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
2880
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link