RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3849
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link