RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3506
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link