RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2286
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link