RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2229
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link