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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de 5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2229
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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