RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2806
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link