RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
3491
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link