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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
11.4
17.7
写入速度,GB/s
7.4
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3491
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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