RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2913
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link