RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
60
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
60
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2511
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link