RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
53
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2366
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link