RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
41
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1770
1855
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link