Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 41
    Около 5% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.8 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.6 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 7.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.4 left arrow 7.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1770 left arrow 1855
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения