RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
39
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1770
3168
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link