RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2231
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link