RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3500
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link