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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
11.7
20.7
写入速度,GB/s
7.2
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3500
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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