RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3559
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link