RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2467
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link