RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3315
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link