RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
39
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3178
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link