RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3254
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link