RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
74
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2821
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link