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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
74
左右 -95% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
38
读取速度,GB/s
4,178.4
15.2
写入速度,GB/s
2,201.1
11.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2821
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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