RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
74
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2821
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link