RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
50
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
50
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
1976
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link