RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
50
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
50
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
13.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1976
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link