RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
74
Около -208% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2256
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link