RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2256
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link