RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
64
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
64
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2197
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link