RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2466
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link