RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3911
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link