RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
52
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17500
Wokół strony 1.46% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
52
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17500
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2319
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link