RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3650
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link