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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,168.0
19.8
写入速度,GB/s
1,855.7
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3650
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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