RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
47
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
47
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2308
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B2GC9.CY10C 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U7CFR8C
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-138.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link