RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
77
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
77
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1549
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kllisre 0000 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link