RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
77
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
77
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1549
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link