RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
77
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
77
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
1549
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link