RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2588
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-053.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link