RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3963
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link