RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2828
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link