Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 39

Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.8 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.4 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 33
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 14.8
Скорость записи, Гб/сек

7.2 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1749 2828

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

модули RAM