RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
56
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3279
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link