Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 56
    Около -75% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.8 left arrow 1,813.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    56 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,387.7 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,813.5 left arrow 12.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    693 left arrow 3279
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения