RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
56
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3279
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link