RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
56
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3152
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link